VBM1201K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM1201K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM1201K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM1201K даташит

 ..1. Size:1415K  cn vbsemi
 vbm1201k.pdf pdf_icon

VBM1201K

VBM1201K www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) 200 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.85 175 C Junction Temperature Qg (Max.) (nC) 13 PWM Optimized 100 % Rg Tested Qgs (nC) 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qgd (nC) 7.9 Configuration Single APPLICATIONS Primary Side Switch TO-220AB D G

 7.1. Size:789K  cn vbsemi
 vbm1201m.pdf pdf_icon

VBM1201K

VBM1201M www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 200 0.110 at VGS = 10 V 2 0 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-220AB APPLICATIONS Primary Side Switch D DRAIN connected to TAB G G D S Top View S N-C

 8.1. Size:502K  cn vbsemi
 vbm1208n.pdf pdf_icon

VBM1201K

VBM1208N www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature RoHS 0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package 200 95 0.070 at VGS = 6 V 38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-220AB Industrial D G

 8.2. Size:595K  cn vbsemi
 vbm1203m.pdf pdf_icon

VBM1201K

VBM1203M www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.270 at VGS =10V 10 200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBL2658, VBM1101M, VBM1101N, VBM1102N, VBM1104N, VBM1105, VBM1151N, VBM1158N, IRFP064N, VBM1201M, VBM1202M, VBM1203M, VBM1206, VBM1208N, VBM1302, VBM1303, VBM1307