VBM1202M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBM1202M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70(max) nC
Время нарастания (tr): 51 ns
Выходная емкость (Cd): 430 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
VBM1202M Datasheet (PDF)
vbm1202m.pdf
VBM1202Mwww.VBsemi.comPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 200 Low-profile through-holeRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Available in tape and reelAvailableQg max. (nC) 70 Dynamic dV/dt ratingQgs (nC) 13 150 C operating temperatureQgd (nC) 39 Fast switchingConfiguration Single Fully avalanche ratedTO-220ABDGDRAIN
vbm1208n.pdf
VBM1208Nwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction TemperatureRoHS0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package200 950.070 at VGS = 6 V38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB IndustrialDG
vbm1203m.pdf
VBM1203Mwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature0.270 at VGS =10V10200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RA
vbm1206.pdf
VBM1206www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)a 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.004@ VGS = 4.5 V10020200.005@ VGS = 2.5 V 95APPLICATIONS OR-ingTO-220AB Server DC/DCDGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RAT
vbm1201k.pdf
VBM1201Kwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) 200 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 175 C Junction TemperatureQg (Max.) (nC) 13 PWM Optimized 100 % Rg TestedQgs (nC) 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECQgd (nC) 7.9Configuration SingleAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220AB DG
vbm1201m.pdf
VBM1201Mwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.110 at VGS = 10 V 2 0 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220ABAPPLICATIONS Primary Side SwitchDDRAIN connected to TAB GG D S Top ViewSN-C
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C