VBM1208N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBM1208N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 95 nC
Время нарастания (tr): 220 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.060(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
VBM1208N Datasheet (PDF)
vbm1208n.pdf
VBM1208Nwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction TemperatureRoHS0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package200 950.070 at VGS = 6 V38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB IndustrialDG
vbm1203m.pdf
VBM1203Mwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature0.270 at VGS =10V10200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RA
vbm1206.pdf
VBM1206www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)a 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.004@ VGS = 4.5 V10020200.005@ VGS = 2.5 V 95APPLICATIONS OR-ingTO-220AB Server DC/DCDGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RAT
vbm1201k.pdf
VBM1201Kwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) 200 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 175 C Junction TemperatureQg (Max.) (nC) 13 PWM Optimized 100 % Rg TestedQgs (nC) 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECQgd (nC) 7.9Configuration SingleAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220AB DG
vbm1201m.pdf
VBM1201Mwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.110 at VGS = 10 V 2 0 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220ABAPPLICATIONS Primary Side SwitchDDRAIN connected to TAB GG D S Top ViewSN-C
vbm1202m.pdf
VBM1202Mwww.VBsemi.comPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 200 Low-profile through-holeRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Available in tape and reelAvailableQg max. (nC) 70 Dynamic dV/dt ratingQgs (nC) 13 150 C operating temperatureQgd (nC) 39 Fast switchingConfiguration Single Fully avalanche ratedTO-220ABDGDRAIN
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
