VBM1303. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM1303

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM1303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM1303 даташит

 ..1. Size:535K  cn vbsemi
 vbm1303.pdf pdf_icon

VBM1303

VBM1303 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0035 at VGS = 10 V 98 30 82 nC 0.0045 at VGS = 4.5 V 98 APPLICATIONS OR-ing TO-220AB D Server DC/DC G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABS

 8.1. Size:732K  cn vbsemi
 vbm1302.pdf pdf_icon

VBM1303

VBM1302 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0021 at VGS = 10 V 140 30 92 nC 0.0029 at VGS = 4.5 V 130 APPLICATIONS OR-ing TO-220AB Server DC/DC D G S G D S N-Channel MOSFET Top View

 8.2. Size:1552K  cn vbsemi
 vbm1307 vbl1307.pdf pdf_icon

VBM1303

VBM1307/VBL1307 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 30 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0095 ID (A) 70 Configuration Single Package TO-220AB/ TO-263 TO-220AB D TO-263 G S G D S N-Channel MOSFET G D S Top

 9.1. Size:1102K  cn vbsemi
 vbm1310.pdf pdf_icon

VBM1303

VBM1310 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.010 at VGS = 10 V 55 30 25 nC 0.018 at VGS = 4.5 V 45 D TO-220AB G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBM1158N, VBM1201K, VBM1201M, VBM1202M, VBM1203M, VBM1206, VBM1208N, VBM1302, 20N60, VBM1307, VBL1307, VBM1310, VBM1402, VBM1405, VBM15R08, VBM15R13, VBM1603