VBM1303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBM1303
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VBM1303
VBM1303 Datasheet (PDF)
vbm1303.pdf

VBM1303www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0035 at VGS = 10 V 9830 82 nC0.0045 at VGS = 4.5 V 98APPLICATIONS OR-ingTO-220ABD Server DC/DCGSG D S N-Channel MOSFETTop ViewABS
vbm1302.pdf

VBM1302www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0021 at VGS = 10 V 14030 92 nC0.0029 at VGS = 4.5 V 130APPLICATIONS OR-ingTO-220AB Server DC/DCDGSG D SN-Channel MOSFETTop View
vbm1307 vbl1307.pdf

VBM1307/VBL1307www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0095ID (A) 70Configuration SinglePackage TO-220AB/ TO-263TO-220AB DTO-263GSG D SN-Channel MOSFETG D STop
vbm1310.pdf

VBM1310www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.010 at VGS = 10 V 5530 25 nC0.018 at VGS = 4.5 V 45DTO-220AB GSG D SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted
Другие MOSFET... VBM1158N , VBM1201K , VBM1201M , VBM1202M , VBM1203M , VBM1206 , VBM1208N , VBM1302 , 20N60 , VBM1307 , VBL1307 , VBM1310 , VBM1402 , VBM1405 , VBM15R08 , VBM15R13 , VBM1603 .
History: VS4610AZ | APQ65SN06A | SHD230452 | KHB7D5N60P1 | PNMT6N1-LB | STF150N10F7 | WNM3025
History: VS4610AZ | APQ65SN06A | SHD230452 | KHB7D5N60P1 | PNMT6N1-LB | STF150N10F7 | WNM3025



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627