Справочник MOSFET. VBM1303

 

VBM1303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM1303
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBM1303

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM1303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  cn vbsemi
vbm1303.pdfpdf_icon

VBM1303

VBM1303www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0035 at VGS = 10 V 9830 82 nC0.0045 at VGS = 4.5 V 98APPLICATIONS OR-ingTO-220ABD Server DC/DCGSG D S N-Channel MOSFETTop ViewABS

 8.1. Size:732K  cn vbsemi
vbm1302.pdfpdf_icon

VBM1303

VBM1302www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0021 at VGS = 10 V 14030 92 nC0.0029 at VGS = 4.5 V 130APPLICATIONS OR-ingTO-220AB Server DC/DCDGSG D SN-Channel MOSFETTop View

 8.2. Size:1552K  cn vbsemi
vbm1307 vbl1307.pdfpdf_icon

VBM1303

VBM1307/VBL1307www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0095ID (A) 70Configuration SinglePackage TO-220AB/ TO-263TO-220AB DTO-263GSG D SN-Channel MOSFETG D STop

 9.1. Size:1102K  cn vbsemi
vbm1310.pdfpdf_icon

VBM1303

VBM1310www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.010 at VGS = 10 V 5530 25 nC0.018 at VGS = 4.5 V 45DTO-220AB GSG D SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted

Другие MOSFET... VBM1158N , VBM1201K , VBM1201M , VBM1202M , VBM1203M , VBM1206 , VBM1208N , VBM1302 , 20N60 , VBM1307 , VBL1307 , VBM1310 , VBM1402 , VBM1405 , VBM15R08 , VBM15R13 , VBM1603 .

History: SE2N7002 | AP9576GM-HF | 2SK1737 | AP60T03GJ | AT5N60S | SI9424DY | NCE80T900D

 

 
Back to Top

 


 
.