VBM165R07S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM165R07S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.61 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM165R07S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM165R07S даташит

 ..1. Size:921K  cn vbsemi
 vbm165r07s vbmb165r07s vbe165r07s vbfb165r07s.pdf pdf_icon

VBM165R07S

 5.1. Size:932K  cn vbsemi
 vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdf pdf_icon

VBM165R07S

VBM165R07 / VBMB165R07 VBE165R07 / VBFB165R07 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r

 6.1. Size:1273K  cn vbsemi
 vbm165r02.pdf pdf_icon

VBM165R07S

VBM165R02 www.VBsemi.com N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 5 RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 11 Ruggedness Qgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 5.2 Compliant to

 6.2. Size:1165K  cn vbsemi
 vbm165r04.pdf pdf_icon

VBM165R07S

VBM165R04 www.VBsemi.com N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.7 RoHS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 48 Ruggedness Qgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 19

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBM1615, VBM1638, VBM165R02, VBM165R04, VBM165R07, VBMB165R07, VBE165R07, VBFB165R07, 2N7000, VBMB165R07S, VBE165R07S, VBFB165R07S, VBM165R10, VBMB165R10, VBE165R10, VBFB165R10, VBL165R10