Справочник MOSFET. VBL165R10

 

VBL165R10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBL165R10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.86(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBL165R10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL165R10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1406K  cn vbsemi
 vbm165r10 vbmb165r10 vbl165r10.pdf pdf_icon

VBL165R10

VBM165R10 / VBMB165R10/ VBL165R10www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 670 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Available Low input capacitance (Ciss) RoHSRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.8643 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche ener

 6.1. Size:1102K  cn vbsemi
 vbl165r18.pdf pdf_icon

VBL165R10

VBL165R18www.VBsemi.comN-Channel 650 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) at TJ max. 650 Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.36 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgQg max. (nC) 106 Low input capacitance (Ciss)Qgs (nC) 14 Low switching losses due to reduced Qrr Ultra low gate charge (Qg)Qgd (nC) 33 Avalanche en

 6.2. Size:1339K  cn vbsemi
 vbm165r12 vbmb165r12 vbl165r12.pdf pdf_icon

VBL165R10

VBM165R12 / VBMB165R12/ VBL165R12www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6843 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS)

 7.1. Size:895K  cn vbsemi
 vbm165r20s vbmb165r20s vbp165r20s vbl165r20s.pdf pdf_icon

VBL165R10

VBM165R20S / VBMB165R20SVBP165R20S / VBL165R20Swww.VBsemi.comN-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Reduced trr, Qrr, and IRRMVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.19 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 106 Low switching losses due to reduced QrrQgs (nC) 14 Ul

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBM165R07S , VBMB165R07S , VBE165R07S , VBFB165R07S , VBM165R10 , VBMB165R10 , VBE165R10 , VBFB165R10 , IRFP260 , VBM165R12 , VBMB165R12 , VBL165R12 , VBM165R18 , VBM165R20S , VBMB165R20S , VBP165R20S , VBL165R20S .

History: 20P10 | 2SK2081-01 | 2SK1063 | AP2764AI-HF | SSM3K03TE | P1010AT | AO4922

 

 
Back to Top

 


 
.