VBM165R12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM165R12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM165R12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM165R12 даташит

 ..1. Size:1339K  cn vbsemi
 vbm165r12 vbmb165r12 vbl165r12.pdf pdf_icon

VBM165R12

VBM165R12 / VBMB165R12/ VBL165R12 www.VBsemi.com N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.68 43 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg) 5 Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS)

 6.1. Size:1406K  cn vbsemi
 vbm165r10 vbmb165r10 vbl165r10.pdf pdf_icon

VBM165R12

VBM165R10 / VBMB165R10/ VBL165R10 www.VBsemi.com N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 670 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Available Low input capacitance (Ciss) RoHS RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.86 43 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg) 5 Qgs (nC) Avalanche ener

 6.2. Size:1061K  cn vbsemi
 vbm165r18.pdf pdf_icon

VBM165R12

VBM165R18 www.VBsemi.com N-Channel 650 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) at TJ max. 650 Reduced trr, Qrr, and IRRM RDS(on) max. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.34 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Qg max. (nC) 106 Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 14 Low switching losses due to reduced Qrr Ultra low gate charge (Qg) Qgd (nC) 33 Avalanche en

 6.3. Size:1284K  cn vbsemi
 vbm165r10 vbmb165r10 vbe165r10 vbfb165r10.pdf pdf_icon

VBM165R12

VBM165R10 / VBMB165R10 VBE165R10 / VBFB165R10 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 57 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4.0 Avalanche energy

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBMB165R07S, VBE165R07S, VBFB165R07S, VBM165R10, VBMB165R10, VBE165R10, VBFB165R10, VBL165R10, STP75NF75, VBMB165R12, VBL165R12, VBM165R18, VBM165R20S, VBMB165R20S, VBP165R20S, VBL165R20S, VBM1680