VBMB165R04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBMB165R04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для VBMB165R04
VBMB165R04 Datasheet (PDF)
vbmb165r04.pdf

VBMB165R04 www.VBsemi.comPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 2.1RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19 Compliant to Ro
vbm165r07 vbmb165r07 vbe165r07 vbfb165r07.pdf

VBM165R07 / VBMB165R07VBE165R07 / VBFB165R07www.VBsemi.comN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 1.1 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 2.0 Avalanche energy r
vbmb165r02.pdf

VBMB165R02www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650RequirementRoHSRDS(on) ()VGS = 10 V 4 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 11RuggednessQgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 5.2 Complia
vbm165r07s vbmb165r07s vbe165r07s vbfb165r07s.pdf

VBM165R07S / VBMB165R07SVBE165R07S / VBFB165R07Swww.VBsemi.comN hannel 650 D S Super Junc n Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.7 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 25 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 2.0
Другие MOSFET... VBMB1303 , VBMB1311 , VBMB155R18 , VBMB15R13 , VBMB1606 , VBMB1615 , VBMB1638 , VBMB165R02 , IRF2807 , VBMB165R18 , VBMB165R20 , VBMB16R08 , VBMB17R07 , VBMB185R05 , VBMB2102M , VBMB2610N , VBMB2658 .
History: 2SK1074 | STF13N60M2 | PSMN5R6-100PS | SI7491DP | SIHFD014 | SP8M70
History: 2SK1074 | STF13N60M2 | PSMN5R6-100PS | SI7491DP | SIHFD014 | SP8M70



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor