VBQA1303. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBQA1303

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1025 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 typ Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для VBQA1303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQA1303 даташит

 ..1. Size:523K  cn vbsemi
vbqa1303.pdfpdf_icon

VBQA1303

VBQA1303 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.003 at VGS = 10 V 80 APPLICATIONS 30 71 nC 0.005 at VGS = 4.5 V 70 Notebook PC Core VRM/POL D DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 2 7 3 6 G 4 5 PIN1 S N-Channel MOSFET ABS

 7.1. Size:947K  cn vbsemi
vbqa1308.pdfpdf_icon

VBQA1303

VBQA1308 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 60 30 31 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 48 APPLICATIONS OR-ing DFN5X6 Single D D Server D 8 DC/DC D 7 D 6 5 G 1 2 S S 3 S

 7.2. Size:476K  cn vbsemi
vbqa1302.pdfpdf_icon

VBQA1303

VBQA1302 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0018 at VGS = 10 V 100 APPLICATIONS 30 82 nC 0.0025 at VGS = 4.5 V 90 OR-ing Server D DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 2 7 3 6 G 4 5 PIN1 S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MA

 9.1. Size:1042K  cn vbsemi
vbqa1102n.pdfpdf_icon

VBQA1303

VBQA1102N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.017 at VGS = 10 V 100 30 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters D DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 2 7 G 3 6 4

Другие IGBT... VBMB2658, VBNC1303, VBL1303, VBP1104N, VBP15R50S, VBP1606, VBQA1102N, VBQA1302, IRFB7545, VBQA1308, VBQA1402, VBQA1405, VBQA1606, VBQA1638, VBQA2305, VBQA2309, VBQA3316