VBQA1606 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBQA1606
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006(typ) Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для VBQA1606
VBQA1606 Datasheet (PDF)
vbqa1606.pdf

VBQA1606www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 10 V 80 Material categorization:600.007 at VGS = 4.5 V 65DDFN5X6Top ViewTop View Bottom View1827G3645PIN1SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25
vbqa1638.pdf

VBQA1638www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYAvailableVDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) max. () at VGS = 10 V 0.024 100 % Rg TestedRDS(on) max. () at VGS = 4.5 V 0.028 100 % UIS TestedQg typ. (nC) 5.2ID (A) 15a, gAPPLICATIONSConfiguration Single Battery Switch
vbqa1102n.pdf

VBQA1102Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.017 at VGS = 10 V10030COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View1827G364
vbqa1308.pdf

VBQA1308www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S
Другие MOSFET... VBP15R50S , VBP1606 , VBQA1102N , VBQA1302 , VBQA1303 , VBQA1308 , VBQA1402 , VBQA1405 , MMD60R360PRH , VBQA1638 , VBQA2305 , VBQA2309 , VBQA3316 , VBQF1206 , VBQF1303 , VBQF1306 , VBQF1310 .
History: PZ2N7002M | TPCA8A09-H | 2SK3575-ZK | TF68N80 | DMG3413L | IPB083N10N3G | STL9N60M2
History: PZ2N7002M | TPCA8A09-H | 2SK3575-ZK | TF68N80 | DMG3413L | IPB083N10N3G | STL9N60M2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet