VBQA1638. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBQA1638

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 typ Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для VBQA1638

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQA1638 даташит

 ..1. Size:878K  cn vbsemi
vbqa1638.pdfpdf_icon

VBQA1638

VBQA1638 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Available VDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) max. ( ) at VGS = 10 V 0.024 100 % Rg Tested RDS(on) max. ( ) at VGS = 4.5 V 0.028 100 % UIS Tested Qg typ. (nC) 5.2 ID (A) 15a, g APPLICATIONS Configuration Single Battery Switch

 8.1. Size:517K  cn vbsemi
vbqa1606.pdfpdf_icon

VBQA1638

VBQA1606 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.006 at VGS = 10 V 80 Material categorization 60 0.007 at VGS = 4.5 V 65 D DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 2 7 G 3 6 4 5 PIN1 S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25

 9.1. Size:1042K  cn vbsemi
vbqa1102n.pdfpdf_icon

VBQA1638

VBQA1102N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.017 at VGS = 10 V 100 30 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters D DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 2 7 G 3 6 4

 9.2. Size:947K  cn vbsemi
vbqa1308.pdfpdf_icon

VBQA1638

VBQA1308 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 60 30 31 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 48 APPLICATIONS OR-ing DFN5X6 Single D D Server D 8 DC/DC D 7 D 6 5 G 1 2 S S 3 S

Другие IGBT... VBP1606, VBQA1102N, VBQA1302, VBQA1303, VBQA1308, VBQA1402, VBQA1405, VBQA1606, MMIS60R580P, VBQA2305, VBQA2309, VBQA3316, VBQF1206, VBQF1303, VBQF1306, VBQF1310, VBQF2120