Справочник MOSFET. VBQF1206

 

VBQF1206 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBQF1206
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQF1206 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  cn vbsemi
vbqf1206.pdfpdf_icon

VBQF1206

VBQF1206www.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0055 at VGS = 4.5V 5820 9.4 nC0.0057 at VGS = 2.5 V 45APPLICATIONS High power density DC/DC Synchronous rectification Embedded DC/DCDFN 3x3 EPD Bottom View Top View Top View1

 9.1. Size:1422K  cn vbsemi
vbqf1310.pdfpdf_icon

VBQF1206

VBQF1310www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.010 at V = 10 V 30GS 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.018 at V = 4.5 V 25GS APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View

 9.2. Size:983K  cn vbsemi
vbqf1303.pdfpdf_icon

VBQF1206

VBQF1303www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) () Typ. Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg and UIS Tested30 33.5 nC0.005 at VGS = 2.5 V 45 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Motor Control In

 9.3. Size:1082K  cn vbsemi
vbqf1306.pdfpdf_icon

VBQF1206

VBQF1306www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0045 at VGS = 10 V 40 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.0060 at VGS = 4.5 V 33.3APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BUK9907-55ATE | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | IRFR120N | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.