Справочник MOSFET. VBZA4936

 

VBZA4936 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZA4936
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBZA4936

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA4936 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1231K  cn vbsemi
vbza4936.pdfpdf_icon

VBZA4936

VBZA4936www.VBsemi.comDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.015 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1030 15 nC 100 % UIS Tested0.019 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

 8.1. Size:1679K  cn vbsemi
vbza4953a.pdfpdf_icon

VBZA4936

VBZA4953Awww.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.040 at VGS = - 10 V - 6 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.048 at VGS = - 4.5 V - 5APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSO-8S1 S2- Game StationsS1 1 D18G1 2

 8.2. Size:1775K  cn vbsemi
vbza4946.pdfpdf_icon

VBZA4936

VBZA4946www.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.040ID (A) per leg6Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channel M

 8.3. Size:480K  cn vbsemi
vbza4953.pdfpdf_icon

VBZA4936

VBZA4953www.VBsemi.comDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi

Другие MOSFET... VBZA4430 , VBZA4435 , VBZA4606 , VBZA4611 , VBZA4618 , VBZA4800 , VBZA4805 , VBZA4850 , K4145 , VBZA4946 , VBZA4953 , VBZA4953A , VBZA5670 , VBZA6679 , VBZA7240 , VBZA7470 , VBZA8858 .

History: GP1M003A040XG | SVS80R430FJHE3 | FXN12N60FS | 2SK187 | IRF3709ZPBF | AON6982 | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.