Справочник MOSFET. VBZA9926

 

VBZA9926 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZA9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для VBZA9926

 

 

VBZA9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2313K  cn vbsemi
 vbza9926.pdf

VBZA9926 VBZA9926

VBZA9926www.VBsemi.comDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.015at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET200.023 at VGS = 4.5 V 5.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8 D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D25Top

 0.1. Size:1779K  cn vbsemi
 vbza9926a.pdf

VBZA9926 VBZA9926

VBZA9926Awww.VBsemi.comDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.020 at VGS = 10 V 5.8 TrenchFET Power MOSFET200.023 at VGS = 4.5 V 5.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8 D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D25

 8.1. Size:2211K  cn vbsemi
 vbza9945.pdf

VBZA9926 VBZA9926

VBZA9945www.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.027RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.041ID (A) per leg8Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D1 78G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channel MO

 8.2. Size:459K  cn vbsemi
 vbza9936.pdf

VBZA9926 VBZA9926

VBZA9936www.VBsemi.comDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AK5N60S | AM12N65P

 

 
Back to Top