VBZE12N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBZE12N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.090(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
VBZE12N10 Datasheet (PDF)
vbze12n10.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZE12N10www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature100at VGS = 10 V0.090 17 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
vbze12n06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZE12N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.095at VGS = 10 V 16 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.110 at VGS = 4.5 V 13TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters Motor Dr
vbze12n03.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZE12N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.014at VGS = 10 V 4030 28nC0.020at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLU
vbze12p10.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZE12P10www.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.180 at VGS = - 10 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFET- 100 110.200 at VGS = - 4.5 V - 6 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Switch DC/DC Con
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![VBZE12N10](https://alltransistors.com/images/us.png)
![VBZE12N10](https://alltransistors.com/images/es.png)
![VBZE12N10](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C