VBZE12N10 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги VBZE12N10. Основные параметры


   Наименование производителя: VBZE12N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.090(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBZE12N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE12N10 даташит

 ..1. Size:1444K  cn vbsemi
 vbze12n10.pdf pdf_icon

VBZE12N10

VBZE12N10 www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 at VGS = 10 V 0.090 17 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 7.1. Size:1633K  cn vbsemi
 vbze12n06.pdf pdf_icon

VBZE12N10

VBZE12N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.095at VGS = 10 V 16 Material categorization 60 19.8 For definitions of compliance please see 0.110 at VGS = 4.5 V 13 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Converters DC/AC Inverters Motor Dr

 7.2. Size:2307K  cn vbsemi
 vbze12n03.pdf pdf_icon

VBZE12N10

VBZE12N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.014at VGS = 10 V 40 30 28nC 0.020at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLU

 8.1. Size:834K  cn vbsemi
 vbze12p10.pdf pdf_icon

VBZE12N10

VBZE12P10 www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.180 at VGS = - 10 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFET - 100 11 0.200 at VGS = - 4.5 V - 6 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Switch DC/DC Con

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBZE06N02 , VBZE06N03 , VBZE100N02 , VBZE100N03 , VBZE100P03 , VBZE10N20 , VBZE12N03 , VBZE12N06 , IRF1407 , VBZE12P10 , VBZE15N03 , VBZE15N10 , VBZE16N05 , VBZE20N03 , VBZE20N06 , VBZE20N10 , VBZE20N20 .

 

 
Back to Top

 


 
.