VBZE20N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZE20N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для VBZE20N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE20N06 даташит

 ..1. Size:1054K  cn vbsemi
 vbze20n06.pdf pdf_icon

VBZE20N06

VBZE20N06 www.VBsemi.com N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.023 at VGS = 10 V 45 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise no

 6.1. Size:2035K  cn vbsemi
 vbze20n03.pdf pdf_icon

VBZE20N06

VBZE20N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.011 at VGS = 10 V 50 30 28nC 0.016 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSO

 7.1. Size:1435K  cn vbsemi
 vbze20n20.pdf pdf_icon

VBZE20N06

VBZE20N20 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 200 0.054 at VGS = 10 V 25 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 7.2. Size:1418K  cn vbsemi
 vbze20n10.pdf pdf_icon

VBZE20N06

VBZE20N10 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.110 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBZE12N03, VBZE12N06, VBZE12N10, VBZE12P10, VBZE15N03, VBZE15N10, VBZE16N05, VBZE20N03, AO3407, VBZE20N10, VBZE20N20, VBZE20P03, VBZE20P06, VBZE2810, VBZE2N60, VBZE30N02, VBZE30N03