VBZE2810 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBZE2810 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBZE2810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBZE2810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE2810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1710K  cn vbsemi
 vbze2810.pdf pdf_icon

VBZE2810

VBZE2810www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS TestedVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)80 0.006at VGS = 10 V 100 19 nCAPPLICATIONS Primary Side SwitchingTO-252 Synchronous RectificationD DC/AC Inverters LED BacklightingGSDG SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE

 9.1. Size:1435K  cn vbsemi
 vbze20n20.pdf pdf_icon

VBZE2810

VBZE20N20www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.054 at VGS = 10 V 25 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.2. Size:1391K  cn vbsemi
 vbze2n60.pdf pdf_icon

VBZE2810

VBZE2N60www.VBsemi.comN-Channel 600 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 3.5 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 18 Surface Mount (IRFRC20, SiHFRC20)Qgs (nC) 3.0 Straight Lead (IRFUC20, SiHFUC20)Qgd (nC) 8.9 Available in Tape and Reel

 9.3. Size:1413K  cn vbsemi
 vbze20p03.pdf pdf_icon

VBZE2810

VBZE20P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.033 at VGS = - 10 V - 43 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.040 at VGS = - 4.5 V - 30APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSTO-252GG D SDTop ViewP-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBZE15N10 , VBZE16N05 , VBZE20N03 , VBZE20N06 , VBZE20N10 , VBZE20N20 , VBZE20P03 , VBZE20P06 , IRF2807 , VBZE2N60 , VBZE30N02 , VBZE30N03 , VBZE30N06 , VBZE30N10 , VBZE40N03 , VBZE40N06 , VBZE40N10 .

History: SFB083N80CC2

 

 
Back to Top

 


 
.