VBZE30N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZE30N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для VBZE30N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE30N10 даташит

 ..1. Size:1869K  cn vbsemi
 vbze30n10.pdf pdf_icon

VBZE30N10

VBZE30N10 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 100 0.030 at VGS = 10 V 35 RoHS* Low Thermal Resistance Package COMPLIANT D TO-252 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parame

 7.1. Size:2034K  cn vbsemi
 vbze30n02.pdf pdf_icon

VBZE30N10

VBZE30N02 www.VBsemi.com N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.004 at VGS = 4.5 V 130 20 90 nC 0.006at VGS = 2.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET A

 7.2. Size:2059K  cn vbsemi
 vbze30n06.pdf pdf_icon

VBZE30N10

VBZE30N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 22 0.073at VGS = 10 V Material categorization 60 19.8 For definitions of compliance please see 0.097 at VGS = 4.5 V 16 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Converters DC/AC Inverters Motor D

 7.3. Size:2693K  cn vbsemi
 vbze30n03.pdf pdf_icon

VBZE30N10

VBZE30N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.015at VGS = 10 V 35 30 28nC 0.025at VGS = 4.5 V 30 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBZE20N20, VBZE20P03, VBZE20P06, VBZE2810, VBZE2N60, VBZE30N02, VBZE30N03, VBZE30N06, 75N75, VBZE40N03, VBZE40N06, VBZE40N10, VBZE40P03, VBZE40P06, VBZE40P10, VBZE4204, VBZE4286