2SK2478 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK2478
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
Тип корпуса: TO3P
2SK2478 Datasheet (PDF)
2sk2478.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2478SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2478 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed(in millimeter)for high voltage switching applications.FEATURES10.00.3 4.50.23.20.2 Low On-Resistance2.70.2RDS (on) = 7.5 (VGS = 10 V, ID = 1.0 A) Low Ciss Ciss = 48
2sk2471-01.pdf

N-channel MOS-FET2SK2471-01FAP-II Series 300V 0,53 10A 80W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Avalanche Proof> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristics > Equiv
2sk2479.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2479SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2479 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de-(in millimeters)signed for high voltage switching applications.10.6 MAX. 4.8 MAX.FEATURES 3.6 0.21.3 0.210.0 Low On-ResistanceRDS(on) = 7.5 (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Low Cis
2sk2477.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2477SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2477 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed(in millimeter)for high voltage switching applications.FEATURES 4.7 MAX.15.7 MAX. 3.20.21.5 Low On-ResistanceRDS (on) = 1.0 (VGS = 10 V, ID = 5.0 A) 4 Low Ciss Ciss = 2 950
Другие MOSFET... 2SK2461 , 2SK2462 , 2SK2469-01MR , 2SK2470-01MR , 2SK2471-01 , 2SK2473-01 , 2SK2476 , 2SK2477 , IRF9640 , 2SK2479 , 2SK2480 , 2SK2481 , 2SK2482 , 2SK2483 , 2SK2484 , 2SK2485 , 2SK2486 .
History: AP2316GN | GSM4546 | SSG9435P
History: AP2316GN | GSM4546 | SSG9435P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r