Справочник MOSFET. VBZL100N04

 

VBZL100N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZL100N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 28(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBZL100N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL100N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  cn vbsemi
 vbzl100n04.pdf pdf_icon

VBZL100N04

VBZL100N04www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS 100V 175 C Junction TemperatureRoHSRDS(on) VGS = 10 V 100 mCOMPLIANT Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 4.5 V 106 m 100 % Rg TestedID 20AConfiguration SingleAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDD2PAK (TO-263)GD

 9.1. Size:1422K  cn vbsemi
 vbzl120n08.pdf pdf_icon

VBZL100N04

VBZL120N08www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) New Package with Low Thermal Resistance100 0.005 at VGS = 10 V 110a 100 % Rg TestedDD2PAK (TO-263)GD SGSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitDrain-Source Vo

 9.2. Size:1214K  cn vbsemi
 vbzl150n03.pdf pdf_icon

VBZL100N04

VBZL150N03www.VBsemi.comN-Channel 150V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS 150 175 C Junction TemperatureV New Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 10 V 35 m PWM OptimizedID 55A Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Primary Side SwitchDD2PAK (TO-263)GDGSSN-

Другие MOSFET... VBZFB40P04 , VBZFB40P06 , VBZFB50N03 , VBZFB50N06 , VBZFB60N03 , VBZFB70N03 , VBZFB80N03 , VBZJ12N06 , 2SK3878 , VBZL120N08 , VBZL150N03 , VBZL30N06 , VBZL45N03 , VBZL50N06 , VBZL60N03 , VBZL60N06 , VBZL70N03 .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.