Справочник MOSFET. VBZL80N03

 

VBZL80N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZL80N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBZL80N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL80N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2032K  cn vbsemi
vbzl80n03.pdfpdf_icon

VBZL80N03

VBZL80N03www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature200VDS V Low Thermal Resistance PackageRDS(on) VGS = 10 V 48 m PWM Optimized for Fast SwitchingID 40A Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleAPPLICATIONS Isolated DC/DC Converters- Primary-Si

 6.1. Size:1636K  cn vbsemi
vbzl80n04.pdfpdf_icon

VBZL80N03

VBZL80N04www.VBsemi.comN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET40VDS V Maximum 175 C junction temperature5RDS(on) VGS = 10 V m 100 % Rg and UIS tested6RDS(on) VGS = 4.5 V m Material categorization:110ID Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDG

 6.2. Size:1391K  cn vbsemi
vbzl80n06.pdfpdf_icon

VBZL80N03

VBZL80N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS 60V Package with low thermal resistanceRDS(on) VGS = 10 V 6m AEC-Q101 qualified dRDS(on) VGS = 4.5 V 11 m 100 % Rg and UIS testedID 100AConfiguration SingleTO-263DGSSDDGGN-Channel MOSFET STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 6.3. Size:1613K  cn vbsemi
vbzl80n08.pdfpdf_icon

VBZL80N03

VBZL80N08www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS 80 V Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) VGS = 10 V 6 m 100 % Rg and UIS testedRDS(on) VGS = 4.5 V m10 Material categorization:ID 120Afor definitions of compliance please seeConfiguration SingleDTO-263GSSSDDGG

Другие MOSFET... VBZL120N08 , VBZL150N03 , VBZL30N06 , VBZL45N03 , VBZL50N06 , VBZL60N03 , VBZL60N06 , VBZL70N03 , IRF1010E , VBZL80N04 , VBZL80N06 , VBZL80N08 , VBZM100N03 , VBZM100N04 , VBZM120N15 , VBZM12P10 , VBZM13N50 .

History: ELM14404AA | TPCA8A09-H | SWB088R06VT | IPB083N10N3G | STL9N60M2 | DMG3413L | TF68N80

 

 
Back to Top

 


 
.