VBZM75NF75 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBZM75NF75
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VBZM75NF75
VBZM75NF75 Datasheet (PDF)
vbzm75nf75.pdf
VBZM75NF75www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET80VDS V 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) VGS = 10 V 7m9RDS(on) VGS = 4.5 V mAPPLICATIONS100ID A Primary Side SwitchingConfiguration Single Synchronous Rectification DC/AC InvertersTO-220AB D LED BacklightingGTop ViewSN-C
vbzm75n80.pdf
VBZM75N80www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURES80VDS V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 6m 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V 14m120ID AConfiguration SingleTO-220AB DGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Sourc
vbzm75n03.pdf
VBZM75N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) 30 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V0.006 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) () at VGS = 4.5 V0.009ID (A)80Configuration Single DTO-220ABPackageTO-220AB GSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
