VBZM75NF75 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBZM75NF75
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VBZM75NF75
VBZM75NF75 Datasheet (PDF)
vbzm75nf75.pdf

VBZM75NF75www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET80VDS V 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) VGS = 10 V 7m9RDS(on) VGS = 4.5 V mAPPLICATIONS100ID A Primary Side SwitchingConfiguration Single Synchronous Rectification DC/AC InvertersTO-220AB D LED BacklightingGTop ViewSN-C
vbzm75n80.pdf

VBZM75N80www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURES80VDS V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 6m 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V 14m120ID AConfiguration SingleTO-220AB DGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Sourc
vbzm75n03.pdf

VBZM75N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) 30 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V0.006 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) () at VGS = 4.5 V0.009ID (A)80Configuration Single DTO-220ABPackageTO-220AB GSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =
Другие MOSFET... VBZM50N03 , VBZM50N06 , VBZM60N06 , VBZM60P03 , VBZM630 , VBZM630Y , VBZM75N03 , VBZM75N80 , P0903BDG , VBZM80N03 , VBZM80N04 , VBZM80N06 , VBZM80N10 , VBZM80N80 , VBZM8N50 , VBZM8N60 , VBZMB10N65 .
History: MEE15N10-G | IXFH46N65X2 | OSG80R650DF | STU12N60M2 | MMN4446 | SPA08N80C3 | ME6980ED-G
History: MEE15N10-G | IXFH46N65X2 | OSG80R650DF | STU12N60M2 | MMN4446 | SPA08N80C3 | ME6980ED-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644