VBZMB10N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZMB10N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для VBZMB10N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZMB10N65 даташит

 ..1. Size:617K  cn vbsemi
 vbzmb10n65.pdf pdf_icon

VBZMB10N65

VBZMB10N65 www.VBsemi.com N hannel 650 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 57 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4.0 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 5.4 Config

 8.1. Size:617K  cn vbsemi
 vbzmb12n65.pdf pdf_icon

VBZMB10N65

VBZMB12N65 www.VBsemi.com N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.68 43 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg) 5 Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS) 22 Qgd (nC) Configu

 8.2. Size:1258K  cn vbsemi
 vbzmb18n50.pdf pdf_icon

VBZMB10N65

VBZMB18N50 www.VBsemi.com N-Channel (D-S) Power MOSFET 550V FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal Design VDS (V) 550 - Low Area Specific On-Resistance RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.26 - Low Input Capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 150 - Reduced Capacitive Switching Losses Qgs (nC) 12 - High Body Diode Ruggedness Qgd (nC) 25 - Avalanche Energy Rated (UIS) Configuration

 8.3. Size:827K  cn vbsemi
 vbzmb18n65.pdf pdf_icon

VBZMB10N65

VBZMB18N65 www.VBsemi.com N-Channel 650V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) at TJ max. 650 Reduced trr, Qrr, and IRRM RDS(on) max. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.50 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Qg max. (nC) Low input capacitance (Ciss) 71 Qgs (nC) 14 Low switching losses due to reduced Qrr Ultra low gate charge (Qg) Qgd (nC) 33 Avalanche ener

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBZM75NF75, VBZM80N03, VBZM80N04, VBZM80N06, VBZM80N10, VBZM80N80, VBZM8N50, VBZM8N60, 20N50, VBZMB12N65, VBZMB13N50, VBZMB18N50, VBZMB18N65, VBZMB20N65, VBZMB20N65S, VBZMB2N65, VBZMB4N65