VBZMB10N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBZMB10N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 53 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 55 ns
Выходная емкость (Cd): 400 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для VBZMB10N65
VBZMB10N65 Datasheet (PDF)
vbzmb10n65.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZMB10N65 www.VBsemi.comN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC)57 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)4.0 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 5.4Config
vbzmb12n65.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZMB12N65www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6843 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS)22Qgd (nC)Configu
vbzmb18n50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZMB18N50www.VBsemi.comN-Channel (D-S) Power MOSFET550V FEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.26- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 150- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 12- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 25- Avalanche Energy Rated (UIS)Configuration
vbzmb18n65.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZMB18N65www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) at TJ max. 650 Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.50 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgQg max. (nC) Low input capacitance (Ciss)71Qgs (nC) 14 Low switching losses due to reduced Qrr Ultra low gate charge (Qg)Qgd (nC) 33 Avalanche ener
vbzmb13n50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBZMB13N50www.VBsemi.comN-Channel (D-S) Power MOSFET500V FEATURESPRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler DriveVDS (V) 500AvailableReqirementsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtAvailableQg (Max.) (nC) 81RuggednessQgs (nC) 20Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageConfiguratio
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![VBZMB10N65](https://alltransistors.com/images/us.png)
![VBZMB10N65](https://alltransistors.com/images/es.png)
![VBZMB10N65](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RUQ4040M2 | RUH85350T | RUH85230S | RUH85210R | RUH85150R | RUH85120S | RUH85120M-C | RUH85100M-C | RUH60D60M | RUH6080R | RUH6080M3-C | RUH60120M | RUH60120L | RUH40E12C | RUH40D40M | RUH4040M3