ZXMN4A06GT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMN4A06GT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 typ Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для ZXMN4A06GT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN4A06GT даташит

 ..1. Size:946K  cn vbsemi
 zxmn4a06gt.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GT

ZXMN4A06GT www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.029 at VGS = 10 V 7.0 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.033 at VGS = 4.5 V 5.6 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SOT-223 D G S D G S N-Channel MOSFET

 0.1. Size:167K  zetex
 zxmn4a06gta.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GT

ZXMN4A06G 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT223 Low on-resistance F

 5.1. Size:168K  diodes
 zxmn4a06g.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GT

ZXMN4A06G 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT223 Low on-resistance F

 5.2. Size:376K  diodes
 zxmn4a06gq.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GT

ZXMN4A06GQ Green 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Fast Switching Speed 40V 0.05 @ VGS = 10V 7A Low Threshold Low Gate Drive Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) This new generation MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WNM2020-3, WPM2015-3-TR, WPM2341A-3-TR, XP132A1275SR, XP161A11A1PR, XP161A1355PR, XP202A0003PR, ZXMC6A09DN8T, 60N06, ZXMP10A17GTA, ZXMP6A18DN8TA, NCE0102, NCE0103M, NCE0103Y, NCE0106R, NCE0106Z, NCE0110AK