Справочник MOSFET. ZXMN4A06GT

 

ZXMN4A06GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN4A06GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для ZXMN4A06GT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN4A06GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:946K  cn vbsemi
 zxmn4a06gt.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GT

ZXMN4A06GTwww.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.029 at VGS = 10 V 7.0 TrenchFET Power MOSFETs600.033 at VGS = 4.5 V 5.6 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET

 0.1. Size:167K  zetex
 zxmn4a06gta.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GT

ZXMN4A06G40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT223 Low on-resistance F

 5.1. Size:168K  diodes
 zxmn4a06g.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GT

ZXMN4A06G40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 ID= 7ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.FEATURESSOT223 Low on-resistance F

 5.2. Size:376K  diodes
 zxmn4a06gq.pdf pdf_icon

ZXMN4A06GT

ZXMN4A06GQGreen40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Fast Switching Speed 40V 0.05 @ VGS = 10V 7A Low Threshold Low Gate Drive Description Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) This new generation MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WNM2020-3 , WPM2015-3-TR , WPM2341A-3-TR , XP132A1275SR , XP161A11A1PR , XP161A1355PR , XP202A0003PR , ZXMC6A09DN8T , AO4468 , ZXMP10A17GTA , ZXMP6A18DN8TA , NCE0102 , NCE0103M , NCE0103Y , NCE0106R , NCE0106Z , NCE0110AK .

History: FDMS86350 | TK10A80W | ME7170-G | SMK630F | SMK730P

 

 
Back to Top

 


 
.