Справочник MOSFET. NCE1540K

 

NCE1540K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE1540K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NCE1540K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE1540K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  ncepower
nce1540k.pdfpdf_icon

NCE1540K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1540KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1540K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =40A RDS(ON)

 0.1. Size:397K  ncepower
nce1540ka.pdfpdf_icon

NCE1540K

http://www.ncepower.com NCE1540KANCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1540KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =40A RDS(ON)

 7.1. Size:554K  ncepower
nce1540af.pdfpdf_icon

NCE1540K

http://www.ncepower.comNCE1540AFNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE1540AF uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =150V,I =20ADS DR

 7.2. Size:315K  ncepower
nce1540ad.pdfpdf_icon

NCE1540K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1540ADNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1540AD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =40A RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE0240 , NCE0240F , NCE0260 , NCE0275T , NCE1216 , NCE12P09S , NCE1502R , NCE1503S , IRFB3607 , NCE1550 , NCE1570 , NCE2003 , NCE2007N , NCE2010E , NCE2030 , NCE2030K , NCE2060K .

History: IRF7401PBF | APT10050LVFRG | TMD6N65G | SFB205N200C3 | KNP2804A | SI6925ADQ | 2SK1185

 

 
Back to Top

 


 
.