Справочник MOSFET. NCE3035Q

 

NCE3035Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE3035Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 460 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP

 Аналог (замена) для NCE3035Q

 

 

NCE3035Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  ncepower
nce3035q.pdf

NCE3035Q NCE3035Q

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3035QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3035Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

 7.1. Size:331K  ncepower
nce3035g.pdf

NCE3035Q NCE3035Q

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3035GNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3035G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

 7.2. Size:1124K  cn vbsemi
nce3035g.pdf

NCE3035Q NCE3035Q

NCE3035Gwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 SN

 8.1. Size:741K  ncepower
nce3030q.pdf

NCE3035Q NCE3035Q

http://www.ncepower.comNCE3030QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =30V,I =30ADescription DS DThe NCE3030Q uses advanced trench technology and R

 8.2. Size:397K  ncepower
nce3030k.pdf

NCE3035Q NCE3035Q

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3030KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3030K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =30A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top