NCE30H10K - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE30H10K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE30H10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NCE30H10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30H10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  ncepower
 nce30h10k.pdf pdf_icon

NCE30H10K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H10KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =100A RDS(ON)

 6.1. Size:331K  ncepower
 nce30h10g.pdf pdf_icon

NCE30H10K

http://www.ncepower.com NCE30H10GNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065G uses advanced trench technology and design General Features to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be VDS =30V,ID =100A used in a wide variety of applications. RDS(ON)=1.9m (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=2.9m (typical) @ VGS=4.5V Application DC/

 6.2. Size:681K  ncepower
 nce30h10bk.pdf pdf_icon

NCE30H10K

http://www.ncepower.com NCE30H10BKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H10BK uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =100ADS DR

 6.3. Size:373K  ncepower
 nce30h10.pdf pdf_icon

NCE30H10K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H10NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =100A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE3080IA , NCE3080K , NCE3090K , NCE3095G , NCE3095K , NCE30D0808J , NCE30D2519K , NCE30H10AK , IRF730 , NCE30H11BK , NCE30H11K , NCE30H12 , NCE30H14K , NCE30H15 , NCE30H15K , NCE30H29D , NCE30ND07AS .

 

 
Back to Top

 


 
.