NCE30H11K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NCE30H11K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 429 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0036 Ohm
Тип корпуса: TO252
NCE30H11K Datasheet (PDF)
nce30h11k.pdf
http://www.ncepower.com NCE30H11KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H11K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A RDS(ON)
nce30h11bk.pdf
NCE30H11BKhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H11BK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A Schematic diagram RDS(ON) =2.6m (typical) @ VGS=10V RDS(ON) =4.5m (typical) @ VGS=4
nce30h11bg.pdf
http://www.ncepower.com NCE30H11BGNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H11BG uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =110ADS DR =2.3m (typical) @ V =10VDS(ON) GSR =3.8m (typical) @ V =4.5VDS(ON) GS Excellen
nce30h11g.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H11GNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H11G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A Schematic Diagram RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
