NCE30H12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30H12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для NCE30H12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30H12 даташит

 ..1. Size:352K  ncepower
 nce30h12.pdf pdf_icon

NCE30H12

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H12 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H12 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =120A RDS(ON)

 0.1. Size:721K  ncepower
 nce30h12ak.pdf pdf_icon

NCE30H12

http //www.ncepower.com NCE30H12AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H12AK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =120A DS D R

 0.2. Size:418K  ncepower
 nce30h12k.pdf pdf_icon

NCE30H12

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H12K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H12K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =120A RDS(ON)

 0.3. Size:953K  cn vbsemi
 nce30h12k.pdf pdf_icon

NCE30H12

NCE30H12K www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0023 at VGS = 10 V 120 30 82 nC 0.0032 at VGS = 4.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3095G, NCE3095K, NCE30D0808J, NCE30D2519K, NCE30H10AK, NCE30H10K, NCE30H11BK, NCE30H11K, 7N60, NCE30H14K, NCE30H15, NCE30H15K, NCE30H29D, NCE30ND07AS, NCE30ND07S, NCE30ND09S, NCE30NP07S