Справочник MOSFET. NCE30H12

 

NCE30H12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE30H12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для NCE30H12

 

 

NCE30H12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  ncepower
 nce30h12.pdf

NCE30H12 NCE30H12

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H12NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H12 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =120A RDS(ON)

 0.1. Size:721K  ncepower
 nce30h12ak.pdf

NCE30H12 NCE30H12

http://www.ncepower.comNCE30H12AKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H12AK uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =120ADS DR

 0.2. Size:418K  ncepower
 nce30h12k.pdf

NCE30H12 NCE30H12

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H12KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H12K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =120A RDS(ON)

 0.3. Size:953K  cn vbsemi
 nce30h12k.pdf

NCE30H12 NCE30H12

NCE30H12Kwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0023 at VGS = 10 V 12030 82 nC0.0032 at VGS = 4.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top