Справочник MOSFET. NCE30H12

 

NCE30H12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE30H12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 48 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 1350 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для NCE30H12

 

 

NCE30H12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  ncepower
nce30h12.pdf

NCE30H12 NCE30H12

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H12NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H12 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =120A RDS(ON)

 0.1. Size:721K  ncepower
nce30h12ak.pdf

NCE30H12 NCE30H12

http://www.ncepower.comNCE30H12AKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H12AK uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =120ADS DR

 0.2. Size:418K  ncepower
nce30h12k.pdf

NCE30H12 NCE30H12

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H12KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H12K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =120A RDS(ON)

 0.3. Size:953K  cn vbsemi
nce30h12k.pdf

NCE30H12 NCE30H12

NCE30H12Kwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0023 at VGS = 10 V 12030 82 nC0.0032 at VGS = 4.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top