NCE30NP1812K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30NP1812K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO252-4L

Аналог (замена) для NCE30NP1812K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30NP1812K даташит

 ..1. Size:380K  ncepower
 nce30np1812k.pdf pdf_icon

NCE30NP1812K

NCE30NP1812K http //www.ncepower.com N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP1812K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-Channel Schematic diagram VDS =30V,ID =18A

 3.1. Size:928K  ncepower
 nce30np1812g.pdf pdf_icon

NCE30NP1812K

http //www.ncepower.com NCE30NP1812G NCE N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP1812G uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge.This device is DS(ON) suitable for use in inverter and other applications. Genera Features N-channel P-channel Schematic diagram V = 30V,I = 18A V = -30V,I =- 12A DS D DS D R

 3.2. Size:437K  ncepower
 nce30np1812q.pdf pdf_icon

NCE30NP1812K

http //www.ncepower.com NCE30NP1812Q NCE N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP1812Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable for use in inverter and other applications. Genera Features N-channel P-channel Schematic diagram VDS = 30V,ID = 18A VDS = -30V,ID =- 12A

 7.1. Size:425K  ncepower
 nce30np07s.pdf pdf_icon

NCE30NP1812K

http //www.ncepower.com NCE30NP07S N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP07S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-channel P-channel N-Channel VDS = 30V,ID =6.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE30H14K, NCE30H15, NCE30H15K, NCE30H29D, NCE30ND07AS, NCE30ND07S, NCE30ND09S, NCE30NP07S, EMB04N03H, NCE30P12S, NCE30P15S, NCE30P20Q, NCE30P25S, NCE30P28Q, NCE30P30G, NCE30P30K, NCE30P50G