Справочник MOSFET. NCE55P15K

 

NCE55P15K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE55P15K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NCE55P15K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE55P15K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  ncepower
nce55p15k.pdfpdf_icon

NCE55P15K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE55P15KNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE55P15K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON)

 6.1. Size:311K  ncepower
nce55p15.pdfpdf_icon

NCE55P15K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE55P15NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE55P15 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON)

 6.2. Size:362K  ncepower
nce55p15i.pdfpdf_icon

NCE55P15K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE55P15INCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE55P15I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON)

 8.1. Size:392K  ncepower
nce55p04s.pdfpdf_icon

NCE55P15K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE55P04SNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1D2The NCE55P04S uses advanced trench technology and G1 G2design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S1 S2Schematic diagram General Features VDS =-55V,ID =-4A RDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.