Справочник MOSFET. NCE65T900I

 

NCE65T900I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE65T900I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE65T900I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  ncepower
 nce65t900i nce65t900k.pdf pdf_icon

NCE65T900I

NCE65T900INCE65T900K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 750 m DS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industr

 ..2. Size:1403K  ncepower
 nce65t900i.pdf pdf_icon

NCE65T900I

NCE65T900INCE65T900KN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 650 VDSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)R 750 mDS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits theI 5 ADindustrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCpower conversion, and industrial pow

 5.1. Size:1403K  ncepower
 nce65t900k.pdf pdf_icon

NCE65T900I

NCE65T900INCE65T900KN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 650 VDSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)R 750 mDS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits theI 5 ADindustrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCpower conversion, and industrial pow

 5.2. Size:606K  ncepower
 nce65t900 nce65t900f.pdf pdf_icon

NCE65T900I

NCE65T900DNCE65T900, NCE65T900F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) RDS(ON)TYP 750 m with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK3141-01 | FTK4N70P | AP9467GH | SQJ844EP

 

 
Back to Top

 


 
.