NCE82H110D - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE82H110D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE82H110D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 334 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для NCE82H110D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE82H110D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  ncepower
 nce82h110d.pdf pdf_icon

NCE82H110D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE82H110DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H110D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =110A RDS(ON)

 5.1. Size:328K  ncepower
 nce82h110.pdf pdf_icon

NCE82H110D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE82H110NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H110 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =110A RDS(ON)

 7.1. Size:627K  ncepower
 nce82h140.pdf pdf_icon

NCE82H110D

http://www.ncepower.comNCE82H140NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE82H140 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 82V,I =140ADS DR

 7.2. Size:381K  ncepower
 nce82h140ll.pdf pdf_icon

NCE82H110D

NCE82H140LLhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE82H140LL uses advanced trench technology and VDS = 82V,ID =140A design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE8205A , NCE8205I , NCE8205t , NCE8290AC , NCE8295A , NCE8295AD , NCE8295AK , NCE82H110 , RU7088R , NCE82H140D , NCE85H21 , NCE85H21C , NCE8804 , NCE9435 , NCE9926 , NCEP0112AS , NCEP0114AS .

 

 
Back to Top

 


 
.