NCE82H110D - описание и поиск аналогов

 

NCE82H110D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE82H110D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 82 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 334 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для NCE82H110D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE82H110D даташит

 ..1. Size:369K  ncepower
 nce82h110d.pdf pdf_icon

NCE82H110D

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE82H110D NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H110D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =110A RDS(ON)

 5.1. Size:328K  ncepower
 nce82h110.pdf pdf_icon

NCE82H110D

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE82H110 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H110 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =110A RDS(ON)

 7.1. Size:627K  ncepower
 nce82h140.pdf pdf_icon

NCE82H110D

http //www.ncepower.com NCE82H140 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H140 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 82V,I =140A DS D R

 7.2. Size:381K  ncepower
 nce82h140ll.pdf pdf_icon

NCE82H110D

NCE82H140LL http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE82H140LL uses advanced trench technology and VDS = 82V,ID =140A design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE8205A , NCE8205I , NCE8205t , NCE8290AC , NCE8295A , NCE8295AD , NCE8295AK , NCE82H110 , IRFZ46N , NCE82H140D , NCE85H21 , NCE85H21C , NCE8804 , NCE9435 , NCE9926 , NCEP0112AS , NCEP0114AS .

History: MTM13227

 

 

 

 

↑ Back to Top
.