Справочник MOSFET. 2SK3571-ZK

 

2SK3571-ZK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3571-ZK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3571-ZK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  1
 2sk3571 2sk3571-s 2sk3571-z 2sk3571-zk.pdf pdf_icon

2SK3571-ZK

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3571SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETDESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3571 is N-channel MOS FET device that features aPART NUMBER PACKAGElow on-state resistance and excellent switching characteristics,2SK3571 TO-220ABdesigned for low voltage high current applications such asDC/DC converter with synchronous rectifier.2SK3571-S

 ..2. Size:358K  inchange semiconductor
 2sk3571-zk.pdf pdf_icon

2SK3571-ZK

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3571-ZKFEATURESDrain Current : I = 48A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 5.1. Size:358K  inchange semiconductor
 2sk3571-z.pdf pdf_icon

2SK3571-ZK

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3571-ZFEATURESDrain Current : I = 48A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 6.1. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3571-s.pdf pdf_icon

2SK3571-ZK

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3571-SFEATURESDrain Current : I = 48A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.