STB10LN80K5 - описание и поиск аналогов

 

STB10LN80K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB10LN80K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.63 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для STB10LN80K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB10LN80K5 даташит

 ..1. Size:916K  st
stb10ln80k5.pdfpdf_icon

STB10LN80K5

STB10LN80K5 N-channel 800 V, 0.55 typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D PAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D TAB STB10LN80K5 800 V 0.63 8 A 2 Industry s lowest RDS(on) x area 3 Industry s best figure of merit (FoM) 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested D PAK Zener-protected

 9.1. Size:1627K  st
stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdfpdf_icon

STB10LN80K5

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D PAK, DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7.5 A STP10N60M2 TAB TAB STU10N60M2 3 Extremely low gate ch

 9.2. Size:460K  st
stb100nf03l-03-1 stb100nf03l-03t4 stb100nf03l-03 stb100nf03l-03-1 stp100nf03l-03.pdfpdf_icon

STB10LN80K5

STP100NF03L-03 STB100NF03L-03 STB100NF03L-03-1 N-channel 30V - 0.0026 - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB100NF03L-03 30V

 9.3. Size:1657K  st
stb100n10f7 std100n10f7 stf100n10f7 stf100n10f7 stp100n10f7.pdfpdf_icon

STB10LN80K5

STB100N10F7, STD100N10F7, STF100N10F7, STP100N10F7 N-channel 100 V, 0.0068 typ., 80 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220 Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS max ID PTOT 1 3 1 DPAK STB100N10F7 80 A 120 W D2PAK STD100N10F7 80 A 120W TAB 100 V 0.008 STF100N10F7 45 A 30 W STP100N10F7 80A 150 W

Другие MOSFET... STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U , SWMI3N90U , SWD3N90U , SCT10N120 , SCT20N120 , STB100N6F7 , IRF9640 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 .

History: AGM406MBP | ME2325-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.