Справочник MOSFET. STB28N60DM2

 

STB28N60DM2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB28N60DM2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для STB28N60DM2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB28N60DM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:914K  st
stb28n60dm2 stp28n60dm2 stw28n60dm2.pdfpdf_icon

STB28N60DM2

STB28N60DM2, STP28N60DM2, STW28N60DM2 N-channel 600 V, 0.13 typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. Jmax.STB28N60DM2 STP28N60DM2 600 V 0.16 21 A 170 W STW28N60DM2 Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacita

 6.1. Size:1114K  st
stb28n60m2 sti28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdfpdf_icon

STB28N60DM2

STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) DSTB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile

 6.2. Size:1184K  st
stb28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdfpdf_icon

STB28N60DM2

STB28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABVDS @ RDS(on) Order code ID3TJmax max1321STB28N60M2D2PAKTO-220STP28N60M2 650 V 0.150 22 ASTW28N60M2 Extremely low gate charge3 Excellent output capacitance (Coss) prof

 7.1. Size:1235K  st
stb28n65m2 stf28n65m2 stp28n65m2 stw28n65m2.pdfpdf_icon

STB28N60DM2

STB28N65M2, STF28N65M2,STP28N65M2, STW28N65M2N-channel 650 V, 0.15 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETsin DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTB28N65M233STF28N65M212650 V 0.18 20 A1STP28N65M2D2PAKTO-220FPSTW28N65M2TAB Extremely low gate charge Excellent output

Другие MOSFET... STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 , HY1906P , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , STB37N60DM2AG , STB45N30M5 , STB47N50DM6AG , STB55NF06-1 , STB80NF55-06 , STB90NF03L-1 .

History: IRF7342 | WMO06N80M3 | RCX120N25 | WMJ15N80M3 | FCU600N65S3R0 | 2SK1581 | FDD770N15A

 

 
Back to Top

 


 
.