STB28N60DM2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB28N60DM2
Маркировка: 28N60DM2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 21 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 7.3 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для STB28N60DM2
STB28N60DM2 Datasheet (PDF)
stb28n60dm2 stp28n60dm2 stw28n60dm2.pdf
STB28N60DM2, STP28N60DM2, STW28N60DM2 N-channel 600 V, 0.13 typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. Jmax.STB28N60DM2 STP28N60DM2 600 V 0.16 21 A 170 W STW28N60DM2 Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacita
stb28n60m2 sti28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf
STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) DSTB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile
stb28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf
STB28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABVDS @ RDS(on) Order code ID3TJmax max1321STB28N60M2D2PAKTO-220STP28N60M2 650 V 0.150 22 ASTW28N60M2 Extremely low gate charge3 Excellent output capacitance (Coss) prof
stb28n65m2 stf28n65m2 stp28n65m2 stw28n65m2.pdf
STB28N65M2, STF28N65M2,STP28N65M2, STW28N65M2N-channel 650 V, 0.15 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETsin DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTB28N65M233STF28N65M212650 V 0.18 20 A1STP28N65M2D2PAKTO-220FPSTW28N65M2TAB Extremely low gate charge Excellent output
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IXFA12N50P
