STB55NF06-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB55NF06-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для STB55NF06-1
STB55NF06-1 Datasheet (PDF)
stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf
STB55NF06 - STB55NF06-1STP55NF06 - STP55NF06FPN-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V
stb55nf06.pdf
STB55NF06 STB55NF06-1STP55NF06 STP55NF06FPN-CHANNEL 60V - 0.015 - 50A TO-220/TO-220FP/IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDTO-220FPSTP55NF06 60 V
stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf
STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V
stb55nf06 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf
STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V
stp55nf06l stb55nf06l stb55nf06l-1.pdf
STP55NF06LSTB55NF06L - STB55NF06L-1N-channel 60V - 0.014 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V
stb55nf06l-1 stb55nf06lt4 stb55nf06l stb55nf06l-1 stp55nf06l.pdf
STP55NF06LSTB55NF06L - STB55NF06L-1N-channel 60V - 0.014 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V
stb55nf06l.pdf
STB55NF06Lwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Sour
stb55nf06.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB55NF06FEATURESWith To-263(D2PAK) packageExcellent switching performance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current,high switch speedMotor control,audio amplifiersDC-DC&DC-AC convertersAutomotiveABSOLUTE MAXIMU
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F