STD4N90K5 - описание и поиск аналогов

 

STD4N90K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD4N90K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для STD4N90K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD4N90K5 даташит

 ..1. Size:807K  st
std4n90k5.pdfpdf_icon

STD4N90K5

STD4N90K5 N-channel 900 V, 1.90 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STD4N90K5 900 V 2.10 3 A Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best FoM (figure of merit) Ultra-low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1 Internal schematic

 9.1. Size:169K  1
std4na40 std4na40-1 std4na40t4.pdfpdf_icon

STD4N90K5

STD4NA40 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD4NA40 400 V

 9.2. Size:142K  1
std4n25 std4n25-1 std4n25t4.pdfpdf_icon

STD4N90K5

STD4N25 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D STD4N25 250 V

 9.3. Size:610K  st
std4nk100z.pdfpdf_icon

STD4N90K5

STD4NK100Z N-channel 1000 V, 5.6 , 2.2 A SuperMESH Power MOSFET Zener-protected in DPAK package Datasheet preliminary data Features Order code VDSS RDS(on)max ID STD4NK100Z 1000 V

Другие MOSFET... STD10LN80K5 , STD12N60DM2AG , STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 , STD15N50M2AG , STD20NF06L-1 , STQ2HNK60Z-AP , STD4LN80K5 , IRLZ44N , STD5N60DM2 , STD64N4F6AG , STD7LN80K5 , STD8N60DM2 , STF11N60M2-EP , STF11N65M2-045Y , STF13N60DM2 , STF140N6F7 .

History: 2SK443

 

 

 

 

↑ Back to Top
.