Справочник MOSFET. STD4N90K5

 

STD4N90K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD4N90K5
   Маркировка: 4N90K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD4N90K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  st
std4n90k5.pdfpdf_icon

STD4N90K5

STD4N90K5 N-channel 900 V, 1.90 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD4N90K5 900 V 2.10 3 A Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) Ultra-low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal schematic

 9.1. Size:169K  1
std4na40 std4na40-1 std4na40t4.pdfpdf_icon

STD4N90K5

STD4NA40N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD4NA40 400 V

 9.2. Size:142K  1
std4n25 std4n25-1 std4n25t4.pdfpdf_icon

STD4N90K5

STD4N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE V R IDSS DS(on) DSTD4N25 250 V

 9.3. Size:610K  st
std4nk100z.pdfpdf_icon

STD4N90K5

STD4NK100ZN-channel 1000 V, 5.6 , 2.2 A SuperMESH Power MOSFET Zener-protected in DPAK packageDatasheet preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max IDSTD4NK100Z 1000 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3905 | IRFSZ24 | MTP2071M3

 

 
Back to Top

 


 
.