STF7LN80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STF7LN80K5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для STF7LN80K5
STF7LN80K5 Datasheet (PDF)
stf7ln80k5.pdf

STF7LN80K5 N-channel 800 V, 0.95 typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTF7LN80K5 800 V 1.15 5 A Industrys lowest RDS(on) x area Industrys best figure of merit (FoM) 3 Ultra-low gate charge 2 100% avalanche tested 1 Zener-protected TO-220FPAppli
Другие MOSFET... STF23N80K5 , STF25N60M2-EP , STF26N65DM2 , STF28N60DM2 , STF33N60DM6 , STF3LN80K5 , STF5N80K5 , STF5NK52ZD , IRF1010E , STF7N90K5 , STF8N60DM2 , STF9N80K5 , STFH18N60M2 , STFI11NM65N , STFI13N95K3 , STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 .
History: MS7N60 | WTM2306 | FQD50N06 | IXFA6N120P | 2SK1657 | STU2N95K5 | EMB17A03G
History: MS7N60 | WTM2306 | FQD50N06 | IXFA6N120P | 2SK1657 | STU2N95K5 | EMB17A03G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement