STL130N6F7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STL130N6F7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL130N6F7
STL130N6F7 Datasheet (PDF)
stl130n6f7.pdf

STL130N6F7 N-channel 60 V, 0.003 typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTL130N6F7 60 V 0.0035 130 A Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Applications
stl130n8f7.pdf

STL130N8F7N-channel 80 V, 3 m, 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOT3.6 m STL130N8F7 80 V 130 A 135 W(VGS=10 V) Ultra low on-resistance123 100% avalanche tested4ApplicationsPowerFLAT 5x6 Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schemati
stl13n65m2.pdf

STL13N65M2N-channel 650 V, 0.365 typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL13N65M2 650 V 0.475 6.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 123 100% avalanche tested4 Zener-protectedPowerFLAT 5x6 HVApplications S
stl13n60m2.pdf

STL13N60M2N-channel 600 V, 0.39 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTL13N60M2 650 V 0.42 7 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation123 Low gate input resistance4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6
Другие MOSFET... STH410N4F7-6AG , STH6N95K5-2 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 , STI6N95K5 , STL10N65M2 , 2SK3568 , STL140N6F7 , STL33N60DM2 , STL7N60M2 , STL90N6F7 , STP10LN80K5 , STP10N80K5 , STP110N8F7 , STP130N6F7 .
History: HIRF730 | BSB053N03LPG | WMJ36N60C4 | JMSH0606PGDQ | AONP38324 | AOSX32128 | AO3401MI-MS
History: HIRF730 | BSB053N03LPG | WMJ36N60C4 | JMSH0606PGDQ | AONP38324 | AOSX32128 | AO3401MI-MS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor