Справочник MOSFET. STU6N60DM2

 

STU6N60DM2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU6N60DM2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для STU6N60DM2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU6N60DM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  st
stu6n60dm2.pdfpdf_icon

STU6N60DM2

STU6N60DM2DatasheetN-channel 600 V, 0.95 typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in an IPAK packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTTAB Order codeSTU6N60DM2 600 V 1.10 5 A 60 W32 Fast-recovery body diode1 Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistanceIPAK 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggednessD(2, TAB) Zen

 7.1. Size:1046K  st
stf6n60m2 stp6n60m2 stu6n60m2.pdfpdf_icon

STU6N60DM2

STF6N60M2, STP6N60M2, STU6N60M2N-channel 600 V, 1.06 typ., 4.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 32 Order codes ID1TJmax maxIPAK3STF6N60M221STP6N60M2 650 V 1.2 4.5 ATO-220FP TABSTU6N60M2 Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous

 8.1. Size:732K  st
stf6n65m2 stp6n65m2 stu6n65m2.pdfpdf_icon

STU6N60DM2

STF6N65M2, STP6N65M2, STU6N65M2N-channel 650 V, 1.2 typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTF6N65M23 3STP6N65M2 650 V 1.35 4 A2211STU6N65M2TO-220FP TO-220TAB Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile32 1

 8.2. Size:901K  st
stf6n65k3 stfi6n65k3 stu6n65k3.pdfpdf_icon

STU6N60DM2

STF6N65K3, STFI6N65K3, STU6N65K3N-channel 650 V, 1.1 typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAKDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PtotSTF6N65K3TAB30 WSTFI6N65K3 650 V

Другие MOSFET... STP4LN80K5 , STP4N90K5 , STP6N90K5 , STP8N120K5 , STP9N80K5 , STQ1HNK60R-AP , STS8DN6LF6AG , STU5N95K5 , EMB04N03H , STW20N90K5 , STW20N95DK5 , STW25N60M2-EP , STW26N60M2 , STW28N60DM2 , STW33N60DM2 , STW35N60DM2 , STW35N65DM2 .

History: STT4P3LLH6 | OSG55R380AF | STFI15NM65N

 

 
Back to Top

 


 
.