STW28N60DM2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW28N60DM2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STW28N60DM2 Datasheet (PDF)
stb28n60dm2 stp28n60dm2 stw28n60dm2.pdf

STB28N60DM2, STP28N60DM2, STW28N60DM2 N-channel 600 V, 0.13 typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. Jmax.STB28N60DM2 STP28N60DM2 600 V 0.16 21 A 170 W STW28N60DM2 Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacita
stb28n60m2 sti28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf

STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) DSTB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile
stb28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf

STB28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABVDS @ RDS(on) Order code ID3TJmax max1321STB28N60M2D2PAKTO-220STP28N60M2 650 V 0.150 22 ASTW28N60M2 Extremely low gate charge3 Excellent output capacitance (Coss) prof
stb28n65m2 stf28n65m2 stp28n65m2 stw28n65m2.pdf

STB28N65M2, STF28N65M2,STP28N65M2, STW28N65M2N-channel 650 V, 0.15 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETsin DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTB28N65M233STF28N65M212650 V 0.18 20 A1STP28N65M2D2PAKTO-220FPSTW28N65M2TAB Extremely low gate charge Excellent output
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AP97T07GP-HF | AO6804A | OSG55R070HF | 3N212 | WMJ38N60C2 | IPB65R310CFD | 3N150S
History: AP97T07GP-HF | AO6804A | OSG55R070HF | 3N212 | WMJ38N60C2 | IPB65R310CFD | 3N150S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent