STW48N60DM2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW48N60DM2
Маркировка: 48N60DM2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 142 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.079 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW48N60DM2
STW48N60DM2 Datasheet (PDF)
stw48n60dm2.pdf
STW48N60DM2 N-channel 600 V, 0.065 typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTW48N60DM2 600 V 0.079 40 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input 3capacitance 2 Low on-resistance 1 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness
stw48n60m2-4.pdf
STW48N60M2-4 N-channel 600 V, 0.06 typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) DDS @ T R max I STW48N60M2-4 650 V 0.07 42 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% a
stw48n60m6-4.pdf
STW48N60M6-4DatasheetN-channel 600 V, 61 m typ., 39 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO2474 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW48N60M6-4 600 V 69 m 39 A Reduced switching losses Lower RDS(on) per area vs previous generation432 Low gate input resistance1 100% avalanche testedTO247-4 Zener-protectedDrain(1) Excellent swit
stw48n60m2.pdf
STW48N60M2 N-channel 600 V, 0.06 typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) DDS @ T R max I STW48N60M2 650 V 0.07 42 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS32 100% avalanche tested 1 Zener-protected TO-247Applications Switchin
stw48n60m6.pdf
STW48N60M6DatasheetN-channel 600 V, 61 m typ., 39 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW48N60M6 600 V 69 m 39 A Reduced switching losses32 Lower RDS(on) per area vs previous generation1 Low gate input resistanceTO-247 100% avalanche tested Zener-protectedD(2, TAB)Applications Switchin
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
