Справочник MOSFET. SIRA14BDP

 

SIRA14BDP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA14BDP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 389 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00538 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA14BDP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA14BDP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  vishay
 sira14bdp.pdf pdf_icon

SIRA14BDP

SiRA14BDPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 SDAPPLICATIONS3 S4 S1 High power density DC/DCGTop View Bottom View Syn

 8.1. Size:507K  vishay
 sira14dp.pdf pdf_icon

SIRA14BDP

New ProductSiRA14DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00510 at VGS = 10 V Material categorization:2030 9.4 nCFor definitions of compliance please see0.00850 at VGS = 4.5 V 20www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8

 9.1. Size:418K  vishay
 sira10bdp.pdf pdf_icon

SIRA14BDP

SiRA10BDPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 SAPPLICATIONSD3 S4 S1 High power density DC/DCGTop View Bottom View Syn

 9.2. Size:199K  vishay
 sira12dp.pdf pdf_icon

SIRA14BDP

New ProductSiRA12DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition TrenchFET Gen IV Power MOSFET0.0043 at VGS = 10 V 2530 13.6 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0060 at VGS = 4.5 V 25 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICAT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIR680DP , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP , SIRA12BDP , IRF3205 , SIRA18ADP , SIRA24DP , SIRA26DP , SIRA32DP , SIRA52DP , SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP .

 

 
Back to Top

 


 
.