Справочник MOSFET. SQ3426AEEV

 

SQ3426AEEV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ3426AEEV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SQ3426AEEV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3426AEEV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  vishay
 sq3426aeev.pdf pdf_icon

SQ3426AEEV

SQ3426AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Typical ESD protection 800 V HBMRDS(on) () at VGS = 10 V 0.042 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.063 100 % Rg and UIS testedID (A) 7 Material categorization: Configuration Singlefor definit

 8.1. Size:136K  vishay
 sq3426ev.pdf pdf_icon

SQ3426AEEV

SQ3426EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.042 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.063 Material categorization: ID (A) 7for definitions of compliance please see Configuration Singlewww.vish

 8.2. Size:203K  vishay
 sq3426eev.pdf pdf_icon

SQ3426AEEV

SQ3426EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.042 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.063 Typical ESD Protection 800 VID (A) 7 AEC-Q101 QualifiedConfiguration Single 100 % Rg and U

 9.1. Size:235K  vishay
 sq3427ev.pdf pdf_icon

SQ3426AEEV

SQ3427EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.095 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.135 Material categorization:ID (A) -5.3for definitions of compliance please see Configuration Sing

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQ1440EH , SQ1912EH , SQ1922EEH , SQ2319ADS , SQ2361AEES , SQ3418AEEV , SQ3419AEEV , SQ3425EV , TK10A60D , SQ3427AEEV , SQ3461EV , SQ3585EV , SQ3987EV , SQ3989EV , SQ4005EY , SQ4940AEY , SQ7414CENW .

History: IRF6629PBF | NTS4173PT1G | VBL1307 | 2N7218U | TPP65R160C | IRL5NJ7404 | IPL60R255P6

 

 
Back to Top

 


 
.