Справочник MOSFET. SQJ148EP

 

SQJ148EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ148EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ148EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ148EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  vishay
 sqj148ep.pdf pdf_icon

SQJ148EP

SQJ148EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.033 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.039 Material categorization:ID (A) 15for definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

Другие MOSFET... SQ3585EV , SQ3987EV , SQ3989EV , SQ4005EY , SQ4940AEY , SQ7414CENW , SQA401EJ , SQD40081EL , 20N50 , SQJ158EP , SQJ200EP , SQJ202EP , SQJ260EP , SQJ262EP , SQJ407EP , SQJ409EP , SQJ414EP .

History: NTGS5120PT1G | SWI4N70K | RUM003N02T2L | 2SK1294 | IRFS241 | TPD60R600MFD | AO4926

 

 
Back to Top

 


 
.