SQJ148EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ148EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ148EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ148EP даташит

 ..1. Size:243K  vishay
 sqj148ep.pdf pdf_icon

SQJ148EP

SQJ148EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.033 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.039 Material categorization ID (A) 15 for definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

Другие IGBT... SQ3585EV, SQ3987EV, SQ3989EV, SQ4005EY, SQ4940AEY, SQ7414CENW, SQA401EJ, SQD40081EL, STP80NF70, SQJ158EP, SQJ200EP, SQJ202EP, SQJ260EP, SQJ262EP, SQJ407EP, SQJ409EP, SQJ414EP