SQJ407EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ407EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ407EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ407EP даташит

 ..1. Size:233K  vishay
 sqj407ep.pdf pdf_icon

SQJ407EP

SQJ407EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 S 4 S 1 G Top View Bottom View G PRODUCT SUMMARY VDS (V) -30 RD

 9.1. Size:179K  vishay
 sqj403eep.pdf pdf_icon

SQJ407EP

SQJ403EEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 ESD Protection 3000 V RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0085 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0200 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 30a Material categorization Configuration Single For d

 9.2. Size:186K  vishay
 sqj402ep.pdf pdf_icon

SQJ407EP

SQJ402EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) 100 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0110 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0140 For definitions of compliance please see ID (A) 32 www.vishay.com/doc?99912

 9.3. Size:205K  vishay
 sqj403ep.pdf pdf_icon

SQJ407EP

SQJ403EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -30 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization ID (A) -30 a for definitions of compliance please see Configuration S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQA401EJ, SQD40081EL, SQJ148EP, SQJ158EP, SQJ200EP, SQJ202EP, SQJ260EP, SQJ262EP, IRFP250, SQJ409EP, SQJ414EP, SQJ416EP, SQJ418EP, SQJ420EP, SQJ433EP, SQJ446EP, SQJ454EP