SQJ407EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQJ407EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 169 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 950 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0044 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SQJ407EP Datasheet (PDF)
sqj407ep.pdf
SQJ407EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3S4S1 GTop View Bottom ViewGPRODUCT SUMMARYVDS (V) -30RD
sqj403eep.pdf
SQJ403EEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 ESD Protection: 3000 VRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0085 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 30a Material categorization:Configuration SingleFor d
sqj402ep.pdf
SQJ402EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 100 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0110 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0140For definitions of compliance please seeID (A) 32www.vishay.com/doc?99912
sqj403ep.pdf
SQJ403EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization:ID (A) -30 afor definitions of compliance please see Configuration S
sqj401ep.pdf
SQJ401EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 12DefinitionRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0060 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.0080 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 32 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compl
sqj409ep.pdf
SQJ409EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see 1www.vishay.com/doc?99912S2S3S4S1 GTop View Bottom ViewGPRODUCT SUMMARYVDS (V) -4
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .