Справочник MOSFET. SQJ414EP

 

SQJ414EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ414EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ414EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ414EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  vishay
 sqj414ep.pdf pdf_icon

SQJ414EP

SQJ414EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3S4D1 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) 30GRDS

 9.1. Size:154K  vishay
 sqj410ep.pdf pdf_icon

SQJ414EP

SQJ410EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0039 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0042 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.

 9.2. Size:155K  vishay
 sqj412ep.pdf pdf_icon

SQJ414EP

SQJ412EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0041 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0052 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.

 9.3. Size:276K  vishay
 sqj418ep.pdf pdf_icon

SQJ414EP

SQJ418EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 100 % Rg and UIS testedID (A) 48 Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seePackage PowerPAK SO-8Lwww.vishay.com/

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQJ148EP , SQJ158EP , SQJ200EP , SQJ202EP , SQJ260EP , SQJ262EP , SQJ407EP , SQJ409EP , 5N65 , SQJ416EP , SQJ418EP , SQJ420EP , SQJ433EP , SQJ446EP , SQJ454EP , SQJ457EP , SQJ464EP .

 

 
Back to Top

 


 
.