Справочник MOSFET. SQJ912BEP

 

SQJ912BEP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ912BEP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ912BEP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ912BEP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  vishay
sqj912bep.pdfpdf_icon

SQJ912BEP

SQJ912BEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization:D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 D11 G2D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY

 8.1. Size:175K  vishay
sqj912ep.pdfpdf_icon

SQJ912BEP

SQJ912EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS TestedID (A) per leg 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfigurati

 8.2. Size:169K  vishay
sqj912aep.pdfpdf_icon

SQJ912BEP

SQJ912AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0093 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0111 Material categorization: ID (A) per leg 30For definitions of compliance please see Configu

 9.1. Size:265K  vishay
sqj914ep.pdfpdf_icon

SQJ912BEP

SQJ914EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D21 G21Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMA

Другие MOSFET... SQJ457EP , SQJ464EP , SQJ474EP , SQJ476EP , SQJ479EP , SQJ570EP , SQJ860EP , SQJ868EP , IRF520 , SQJ914EP , SQJ946EP , SQJ956EP , SQJ958EP , SQJ990EP , SQJA00EP , SQJA02EP , SQJA04EP .

History: VBFB2658 | SI2308 | CSD83325L | 2SK4178-S27-AY | SVF2N65D | BLS60R520-D | AOC3870

 

 
Back to Top

 


 
.