SQJ912BEP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQJ912BEP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 195 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SQJ912BEP Datasheet (PDF)
sqj912bep.pdf
SQJ912BEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization:D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 D11 G2D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY
sqj912ep.pdf
SQJ912EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS TestedID (A) per leg 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfigurati
sqj912aep.pdf
SQJ912AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0093 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0111 Material categorization: ID (A) per leg 30For definitions of compliance please see Configu
sqj914ep.pdf
SQJ914EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D21 G21Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMA
sqj910aep.pdf
SQJ910AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.007 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0086 Material categorization:ID (A) per leg 30For definitions of compliance please see Configura
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: SWP058R72E7T
