SQJ912BEP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SQJ912BEP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SQJ912BEP
SQJ912BEP Datasheet (PDF)
sqj912bep.pdf

SQJ912BEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization:D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 D11 G2D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY
sqj912ep.pdf

SQJ912EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS TestedID (A) per leg 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfigurati
sqj912aep.pdf

SQJ912AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0093 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0111 Material categorization: ID (A) per leg 30For definitions of compliance please see Configu
sqj914ep.pdf

SQJ914EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D21 G21Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMA
Другие MOSFET... SQJ457EP , SQJ464EP , SQJ474EP , SQJ476EP , SQJ479EP , SQJ570EP , SQJ860EP , SQJ868EP , IRF520 , SQJ914EP , SQJ946EP , SQJ956EP , SQJ958EP , SQJ990EP , SQJA00EP , SQJA02EP , SQJA04EP .
History: VBFB2658 | SI2308 | CSD83325L | 2SK4178-S27-AY | SVF2N65D | BLS60R520-D | AOC3870
History: VBFB2658 | SI2308 | CSD83325L | 2SK4178-S27-AY | SVF2N65D | BLS60R520-D | AOC3870



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor