SQJ912BEP datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SQJ912BEP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SQJ912BEP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SQJ912BEP даташит
sqj912bep.pdf
SQJ912BEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 1 D1 1 G2 D2 Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY
sqj912ep.pdf
SQJ912EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS Tested ID (A) per leg 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configurati
sqj912aep.pdf
SQJ912AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0093 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0111 Material categorization ID (A) per leg 30 For definitions of compliance please see Configu
sqj914ep.pdf
SQJ914EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 D1 D2 1 G2 1 Top View Bottom View PRODUCT SUMMA
Другие IGBT... SQJ457EP, SQJ464EP, SQJ474EP, SQJ476EP, SQJ479EP, SQJ570EP, SQJ860EP, SQJ868EP, 75N75, SQJ914EP, SQJ946EP, SQJ956EP, SQJ958EP, SQJ990EP, SQJA00EP, SQJA02EP, SQJA04EP
History: SIZ346DT | SFW082N165C3 | JCS9N50CC | RJK0353DSP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor





