SQJB40EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJB40EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 935 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJB40EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJB40EP даташит

 ..1. Size:255K  vishay
 sqjb40ep.pdf pdf_icon

SQJB40EP

SQJB40EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 1 1 G2 D1 D2 Top View Bottom View PRODUCT SUMMA

 9.1. Size:267K  vishay
 sqjb42ep.pdf pdf_icon

SQJB40EP

SQJB42EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 D1 D2 1 1 G2 Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY

Другие IGBT... SQJA70EP, SQJA82EP, SQJA84EP, SQJA86EP, SQJA88EP, SQJA94EP, SQJA96EP, SQJB00EP, AO4468, SQJB42EP, SQJB60EP, SQJB68EP, SQJB70EP, SQJB80EP, SQJB90EP, SQM50028EM, SQM90142E